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SI4925DDY-T1-GE3 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | Vishay Siliconix | 838 | 閻絻鐦介敍锟�0755-83217923 询价QQ：  |
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SI4925DDY-T1-GE3参数 产品类别：分离式半导体产品-FET - 阵列 说明：MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC 包装数量：1 包装形式：剪切带 (CT) PDF资料下载：  PDF文档FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：30V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：8A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：29 毫欧 @ 7.3A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs：50nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds：1350pF @ 15V 功率 - 最大：5W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 陶瓷电容器HCZ332MBCDJ0KR 陶瓷电容器K270J10C0GF53L2 铝电容器MLP401M200EK0A 陶瓷电容器K270J10C0GF53H5 逻辑 - 栅极和逆CD74HCT04M96E4 铝电容器MLP442M050EK0A 矩形- 接头，公引FTS-118-01-L-D PMIC - 稳压MIC37150-1.5BR 圆形CA3101E20-14SB 套管 - 音频PJRAS1X3U01AUX |
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